heteroepitaxy相关论文
位错是异质外延单晶金刚石合成过程中的重要线缺陷,而降低位错密度是金刚石在电子器件领域上应用的显著挑战.本文以降低Ir衬底上异......
Heteroepitaxial growth of heavily Nb-doped SrTiO3 thin films prepared by ion beam deposition under c
Heavily Nb-doped SrTiO3 (STNO) heteroepitaxial films have been successfully grown on (001) LaAlO3 (LAO) single crystal s......
报道了一种Si基长波长、窄线宽光探测器。该探测器采用异质外延生长技术, 首先在Si衬底上生长高质量的GaAs基滤波器, 接着生长InP......
利用低压金属有机化学气相沉积技术, 开展InP/GaAs异质外延实验。由450 ℃生长的低温GaAs层与超薄低温InP层组成双异变缓冲层, 并......
用低压金属有机物气相外延(LP-MOCVD)技术,采用低温缓冲层生长法,在GaAs(100)衬底上直接生长了高质量的InP外延层。12 μm InP(0......
系统的研究被执行了动态建模在低压力调查流动和垂直旋转托马斯天鹅 MOCVD 反应堆的热模式，用 2-D。由改变并且计算反应堆的几个重......
Both the electrical and optical properties are studied of the GaN:Si films with carrier concentrations ranging from 1017......
The heteroepitaxial growth of multilayer Cu/Pd(100) thin film via pulse laser deposition (PLD) at room temperature is si......
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Relationship between the orientation of texture and heteroepitaxy of diamond and related materials f
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
Relationship between the orientation of texture and heteroepitaxy of diamond and related materials f
Diamond and cubic boron nitride films have already been applied practically because of their excellent properties. The s......
介绍了新近研制出的一种电阻加热式CVD/LPCVD SiC专用制备系统,并利用该系统以SiH4、C2H4和H2作为反应气体在直径为50mm的Si(100)......
介绍了一种GaAs基的长波长谐振腔增强型（RCE）光探测器。通过两步生长法,在GaAs衬底上异质外延生长了InP-InGaAs-InP的p-i-n光吸收结......
用低压金属有机物气相外延(LP-MOCVD)技术,采用低温缓冲层生长法,在GaAs(100)衬底上直接生长了高质量的InP外延层.1.2 μm InP(004......
The initial stages of multilayer Co thin film grown on Cu(111) surface were simulated by means of kinetic Monte Carlo (K......
The initial stages of multilayer Co thin film grown on Cu(111) surface were simulated by means of kinetic Monte Carlo (K......
Ge基III-V族半导体材料(GaAs/Ge,GaInP/Ge)在外延过程中存在很多问题,主要是反向畴和异质界面间原子的互扩散。在As或者P气氛中对G......
异质外延在LED、高性能光电集成电路（OEIC）等多种领域存在广泛应用。Si基衬底由于具有优良性能,广受关注。Si基衬底异质外延时,由于S......
使用MOCVD工艺在单晶硅衬底（111）面上异质外延六方GaN。利用光学显微镜、原子力显微镜（AFM）、扫面电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）及Raman......
利用拉曼散射光谱对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延的未故意掺杂GaN薄膜特性进行研究发现E2模式向频率低的方向漂移表明在GaN薄膜中......
本文叙述了化学气相沉积金刚石薄膜过程中，金刚石在光滑非金刚石衬底表面的成核行为，讨论了目前用于提高金刚石成核密度的一些典型方......
本文较系统地评述了 MOCVD 或 MBE 实现以 Si 为衬底 GaAs 异质外延工艺,及其在半导体激光器中应用的研究进展。叙述了以 Si 为衬......
利用CVD的方法在Al N/Si(111)衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、喇......
介绍了新近研制出了的一种电阻加热式CVD／LPCVD SiC专用制备系统，并利用该系统以SiH4、C2H4和H2作为反应气体在直径为50mm的Si(100)......
综述了化学气相沉积异质外延金刚石薄膜机理及工艺的研究现状,分析了存在的问题,并对今后的研究进行了展望.......
采用金属Ni诱导与超高真空化学气相沉积相结合的方法，低温下在氧化Si衬底上制备出了多晶GeSi薄膜．利用X射线衍射仪、场发射扫描电镜......
The present understanding of diamond heteroepitaxy by bias-enhanced chemicalvapour deposition on technologically relevan......
实现了一种单片集成的长波长可调谐光探测器．通过外延实验，摸索出低温缓冲层的最佳生长条件，成功地在GaAs衬底上生长出晶格失配度约4％......
提出新的生长控制方式＂函数控制方法＂并将其应用到HVPE异质外延GaN中。函数控制方法是指外延生长参数随时间按照特定函数变化来实现......
蓝光或紫外激光在光电子学和光储存方面有广阔的应用,一直是国际上关注的前沿领域.而金刚石是最好的半导体紫外发光材料.特别是用......
对宽禁带半导体材料碳化硅薄膜的常压化学汽相沉积(APCVD)异质外延技术进行了讨论.在SiC薄膜的生长过程中对Si/C原子比例的控制一......
利用光致发光技术对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延未故意掺杂的GaN进行发光特性的研究,发现在室温下有很强的黄光输出,同时,采用扫......
The epitaxial relationships of lattices and crystalline qualities of LSMO/ZnO/sapphire double-hetero systems were thorou......
概述了GaN异质外延生长中衬底的选择以及缺陷的形成机理，从缓冲层技术、横向外延技术、柔性衬底技术等生长工艺方面综述了国内外GaN......
采用分子束外延方法在Ⅱ-Ⅵ族Cd0.98Zn0.02Te（111）衬底上实现了异系Ⅳ-Ⅵ族半导体（PbTe）的外延生长.原子力显微镜（AFM）的表面形貌表征表......
用分子束外延方法在BaF2（111）衬底上生长了PbTe单晶薄膜，原子力显微镜（AFM）的表面形貌表征显示PbTe表面具有单原子层的平整性，并观察到由......
The heteroepitaxy of semiconductor thin films is a cornerstone of semiconductor devices and is naturally preferred to gr......
